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        核磁共振波譜儀中的化學位移

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        瀏覽:- 發布日期:2017-10-31 14:44:58【

        [文章導讀] 在照射頻率確定時,都是H核,所以吸收峰的位置應該是相同的,而實際不是這樣。這種氫核吸收峰所在的相對不同位置就叫化學位移。

        在照射頻率確定時,都是H核,所以吸收峰的位置應該是相同的,而實際不是這樣。這種氫核吸收峰所在的相對不同位置就叫化學位移。

        核磁共振波譜儀化學位移是由核外電子的屏蔽效應引起的。H核在分子中是被價電子所包圍的。因此,在外加磁場的同時,還有核外電子繞核旋轉產生感應磁場H。如果感應磁場與外加磁場方向相反,則H核的實際感受到的磁場強度為:H=H0-H=H0-σH0=H0(1-σ)(σ為屏蔽常數)


        核磁共振波譜儀

        核外電子對H核產生的這種作用,稱為屏蔽效應(如果產生磁場與外加磁場同向,稱之為去屏蔽效應)。顯然,核外電子云密度越大,屏蔽效應越強,要發生共振吸收就勢必增加外加磁場強度,共振信號將移向高場區;反之,共振信號將移向低場區。


        核磁共振波譜儀中的化學位移

        因此化合物的核磁共振波譜儀譜圖中,峰的數目表示分子中帶有磁矩的質子有多少種,峰的強度(面積)即代表每類質子的相對數目,峰的位移即化學位移可以分析每類質子在分子機構中所處的化學環境。

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